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LED的电学特性有哪些?
时间: 2017-09-25 13:39 浏览次数:
LED是利用化合物材料制成PN结的光电器件。它具备PN结结型器件的电学特性(I-V特性、C-V特性)和光学特性(光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性)及热学特性。 (1)I-V特性
   LED是利用化合物材料制成PN结的光电器件。它具备PN结结型器件的电学特性(I-V特性、C-V特性)和光学特性(光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性)及热学特性。
   (1)I-V特性
   I-V特性是表征LED芯片PN结性能的主要参数,LED的I-V特性具有非线性、单向导电性,即外加正偏压表现为低电阻,反之为高电阻,如下图所示
I-V特性曲线图片
   (2)C-V特性
   LED的芯片有9mil×9mil(250μm×250μm),10mil×10mil,11mil×11mil(280μm×280μm),12mil×12mil(300μm×300μm)几种规格,故PN结面积大小不一,其结电容(零偏压)近似为c=N+pf。LED的C-V特性呈二次函数关系。
   (3)允许功耗P
当流过LED的电流为IF、管压降为VF,则LED的功率消耗为P=VF ×IF。LED工作时,外加偏压、偏流一定时促使PN结内一部分载流子复合发出光,还有一部分变为热,使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta,则当Tj>Ta时,LED内部热量借助管座向外传热,散发热量(功率)可表示为:
散发热量(功率)
   (4)响应时间
   LED的响应时间是标志反应速度的一个重要参数,尤其在脉冲驱动或电调制时显得非常重要。响应时间是指输入正向电流后LED开始发光(上升)和熄灭(衰减)的时间。LED的上升时间随着电流的增大近似地成指数衰减。直接跃迁的材料如GaAs1-xPx的响应时间仅几纳秒,而间接跃迁材料GaP的响应时间则为100ns。

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